위의 두 가지 특성을 지닌 모든 재료는 반도체 재료의 범위로 분류될 수 있습니다. 반도체의 본질적인 기본 성질을 반영하는 것은 빛, 열, 자성, 전기 등 다양한 외부 요인이 반도체에 작용하여 발생하는 물리적 효과 및 현상을 말하며, 이를 총칭하여 반도체 소재의 반도체 성질이라고 할 수 있습니다. 고체전자소자의 기본재료는 대부분 반도체이다. 다양한 유형의 반도체 장치에 다양한 기능과 특성을 부여하는 것은 이러한 반도체 재료의 다양한 반도체 특성입니다. 반도체의 기본적인 화학적 특성은 원자 사이에 포화 공유 결합이 존재한다는 것입니다. 전형적인 공유결합의 특징으로 격자 구조에서 사면체 구조를 이루고 있어 일반적인 반도체 재료는 다이아몬드나 아연 블렌드(ZnS) 구조를 갖고 있다. 지구에 존재하는 광물자원의 대부분이 화합물이기 때문에 최초로 사용된 반도체 소재도 화합물이다. 예를 들어 방연광(PBS)은 오래전부터 전파탐지용으로 사용되었고, 산화구리(Cu2O)는 고체정류기로 사용되었으며, 섬아연석(ZnS)은 고체발광물질로 잘 알려져 있으며, 탄화규소의 정류 및 검출기능( SIC)도 초기에 사용되었습니다. 셀레늄(SE)은 최초로 발견되어 활용된 원소 반도체로, 한때 고체 정류기 및 광전지의 중요한 재료였습니다. 원소 반도체 게르마늄(GE) 증폭의 발견은 전자 기기가 트랜지스터화를 실현하기 시작한 반도체 역사의 새로운 페이지를 열었습니다. 중국의 반도체 연구와 생산은 1957년 최초로 고순도(99.999999% - 99.999999%)의 게르마늄을 제조하면서 시작되었습니다. 원소 반도체 실리콘(SI)의 채택은 트랜지스터의 종류와 종류를 늘리고 성능을 향상시킬 뿐만 아니라 , 또한 대규모 및 초대형 집적 회로 시대를 열었습니다. 갈륨비소(GaAs)로 대표되는 ⅲ~ⅴ 화합물의 발견은 마이크로파 소자와 광전자소자의 급속한 발전을 촉진시켰다.
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