1. 저항
전류에 대한 도체의 차단 효과를 도체의 저항이라고 합니다. 저항이 낮은 물질을 전기 전도체, 줄여서 전도체라고 합니다. 저항이 높은 물질을 전기 절연체, 줄여서 절연체라고 합니다. 물리학에서 저항은 전류에 대한 도체의 저항을 표현하는 데 사용됩니다. 도체의 저항이 클수록 전류에 대한 도체의 저항도 커집니다. 다른 도체의 저항은 일반적으로 다릅니다. 저항은 도체 자체의 특성입니다.
도체의 저항은 일반적으로 문자 R로 표시됩니다. 저항의 단위는 Ohm(옴)으로 축약되며 기호는 Ω(그리스어 알파벳, 병음으로 음역) ō u mì g τ )입니다. 더 큰 단위는 다음과 같습니다. 킬로옴(K Ω) 및 메가옴(m Ω)(조 = 백만, 즉 1백만).
2. 용량
커패시턴스(또는 전기 용량)는 커패시터가 전하를 유지하는 능력을 나타내는 물리량입니다. 커패시터의 두 판 사이의 전위차를 1V 증가시키는 데 필요한 전기량을 커패시터의 커패시턴스라고 합니다. 물리적으로 말하면 커패시터는 정전하 저장 매체입니다(버킷과 같이 전하를 충전하고 저장할 수 있습니다. 방전 회로가 없으면 유전 누출이 제거됩니다. 자체 방전 효과/전해 커패시터는 명백하며 요금이 영구적으로 존재할 수 있다는 것이 특징입니다). 용도가 다양합니다. 전자, 전력분야에서 없어서는 안 될 전자부품입니다. 주로 전력 필터, 신호 필터, 신호 커플 링, 공진, DC 절연 및 기타 회로에 사용됩니다. 용량의 기호는 C이다.
C= ε S/4πkd=Q/U
국제 단위 체계에서 정전 용량의 단위는 패럿(farad)이며, 이는 방법으로 약칭되며 기호는 F입니다. 일반적으로 사용되는 정전 용량의 단위는 밀리파렌하이트(MF) 및 마이크로 방식( μ F), 나트륨 방식(NF)입니다. 스킨법(PF)(스킨법은 피코법이라고도 함)과 변환 관계는 다음과 같습니다.
1패럿(f) = 1000밀리메소드(MF) = 1000000마이크로법(μF)
1 마이크로 방법( μ F) = 1000 NF = 1000000 PF.
3. 인덕턴스
인덕터는 전기에너지를 자기에너지로 변환하여 저장할 수 있는 소자이다. 인덕터의 구조는 변압기의 구조와 유사하지만 권선이 하나뿐입니다. 인덕터에는 전류 변화만 방지하는 특정 인덕턴스가 있습니다. 인덕터가 전류가 흐르지 않는 상태에 있으면 회로가 연결될 때 전류가 인덕터를 통해 흐르는 것을 방지하려고 시도합니다. 인덕터가 전류가 흐르는 상태에 있으면 회로가 분리될 때 전류를 유지하려고 합니다. 인덕터는 초크, 리액터, 다이나믹 리액터라고도 합니다.
4. 전위차계
전위차계는 리드가 3개 있는 저항 소자이며 특정 변화 법칙에 따라 저항 값을 조정할 수 있습니다. 전위차계는 일반적으로 저항기와 이동식 브러시로 구성됩니다. 브러시가 저항체를 따라 이동할 때 변위에 관련된 저항값 또는 전압이 출력단에서 얻어집니다. 전위차계는 3단자 요소 또는 2단자 요소로 사용할 수 있습니다. 후자는 가변저항으로 간주될 수 있다.
전위차계는 조정 가능한 전자 부품입니다. 저항기와 회전 또는 슬라이딩 시스템으로 구성됩니다. 저항체의 두 고정 접점 사이에 전압을 가하면 회전 또는 슬라이딩 방식에 의해 저항체의 접점 위치가 변경되고 두 접점 사이에서 이동 접점의 위치에 일정한 전압을 얻을 수 있습니다. 이동접점과 고정접점. 주로 전압 분배기로 사용됩니다. 이때 전위차계는 4단자소자이다. 전위차계는 기본적으로 여러 가지 스타일을 갖는 슬라이딩 가변저항기입니다. 일반적으로 스피커의 볼륨 스위치와 레이저 헤드의 전원 조정에 사용됩니다.
5. 변압기
변압기는 전자기 유도 원리를 이용하여 교류 전압을 변화시키는 장치입니다. 주요 구성 요소는 1차 코일, 2차 코일 및 철심(자기 코어)입니다. 주요 기능은 전압 변환, 전류 변환, 임피던스 변환, 절연, 전압 안정화(자기 포화 변압기) 등입니다.
변압기는 전압 상승 및 하강, 임피던스 매칭, 안전 절연 등에 사용되는 경우가 많습니다.
6. 다이오드
다이오드는 전류가 한 방향으로만 흐르도록 하는 두 개의 전극을 가진 전자 부품입니다. 많은 용도는 정류기 기능을 기반으로 합니다. Varicap 다이오드는 전자 조정 가능한 커패시터로 사용됩니다.
대부분의 다이오드의 전류 방향성을 일반적으로 "정류"라고 합니다. 다이오드의 가장 일반적인 기능은 전류가 한 방향으로만 흐르도록 허용하고(순방향 바이어스라고 함) 반대 방향으로는 전류를 차단하는 것입니다(역방향 바이어스라고 함). 따라서 다이오드는 전자식 체크 밸브로 간주할 수 있습니다. 그러나 실제로 다이오드는 완벽한 온-오프 지향성을 나타내지 않고 특정 유형의 다이오드 기술에 의해 결정되는 보다 복잡한 비선형 전자 특성을 나타냅니다. 다이오드는 스위치로 사용되는 것 외에도 많은 다른 기능을 가지고 있습니다.
7. 삼극관
전체 이름이 반도체 삼극관이어야 하는 삼극관은 바이폴라 트랜지스터, 수정 삼극관으로도 알려져 있으며 전류 제어용 반도체 장치입니다. 그 기능은 약한 신호를 큰 방사값을 갖는 전기 신호로 증폭시키는 것이며, 비접촉식 스위치로도 사용됩니다. 반도체의 기본 부품 중 하나인 수정 삼극관은 전류 증폭 기능을 갖고 있으며 전자회로의 핵심 부품이다. 3극관은 반도체 기판에 두 개의 밀접하게 간격을 둔 PN 접합을 만드는 것입니다. 두 개의 PN 접합은 전체 반도체를 세 부분으로 나눕니다. 중간 부분은 기본 영역이고 양쪽은 방출 영역과 수집기 영역입니다. 배열 모드에는 PNP와 NPN이 있습니다.
삼극관은 전류의 크기를 제어하는 데 주로 사용되는 일종의 제어 요소입니다. 공통 이미터 연결 방식(신호는 베이스에서 입력, 콜렉터에서 출력, 이미터는 접지됨)을 예로 들면 베이스 전압 UB의 변화가 작을 때 베이스 전류 IB의 변화도 작습니다. . 베이스 전류 IB의 제어에 따라 컬렉터 전류 IC는 큰 변화를 갖게 됩니다. 베이스 전류 IB가 클수록 콜렉터 전류 IC는 커지고, 그 반대도 마찬가지입니다. 베이스 전류가 작을수록 콜렉터 전류는 작아집니다. 즉, 베이스 전류가 콜렉터 전류의 변화를 제어합니다. 그러나 콜렉터 전류의 변화는 베이스 전류의 변화보다 훨씬 크며 이는 3극관의 증폭 효과입니다.
8. MOS 튜브
MOS 튜브는 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터 또는 금속 절연체 반도체입니다. MOS 튜브의 소스와 드레인을 전환할 수 있습니다. 이는 p형 백게이트에 형성된 n형 영역입니다. 대부분의 경우 두 영역은 동일하며 두 끝이 바뀌더라도 장치의 성능에는 영향을 미치지 않습니다. 이러한 장치는 대칭으로 간주됩니다.
MOS 트랜지스터의 가장 큰 특징은 스위칭 특성이 좋다는 점으로 전자 스위치가 필요한 회로에 널리 사용된다.
전원 공급 장치 및 모터 구동을 전환하고 조명을 어둡게 합니다.
9. 집적 회로
집적 회로는 일종의 마이크로 전자 장치 또는 구성 요소입니다. 특정 공정을 사용하여 회로에 필요한 트랜지스터, 다이오드, 저항기, 커패시터, 인덕터 및 기타 구성 요소와 배선을 상호 연결하고 작은 조각 또는 여러 개의 작은 조각의 반도체 칩 또는 유전체 기판에 만든 다음 쉘에 포장하여 필요한 회로 기능을 갖춘 마이크로 구조가 됩니다. 모든 구성 요소는 전체 구조를 형성하여 전자 구성 요소를 소형화, 저전력 소비, 지능 및 높은 신뢰성을 향한 큰 진전으로 만들었습니다. 회로에서 문자 "IC"로 표시됩니다.
집적 회로는 작은 크기, 가벼운 무게, 나가는 라인과 용접 지점이 적고 서비스 수명이 길고 신뢰성이 높으며 성능이 좋은 등의 장점을 가지고 있습니다. 동시에, 가격이 저렴하고 대량 생산에 편리합니다. 테이프 레코더, 텔레비전, 컴퓨터 등과 같은 산업 및 민간 전자 장비에 널리 사용될 뿐만 아니라 군사, 통신, 원격 제어 등에 널리 사용됩니다. 집적회로로 조립된 전자장비의 조립밀도는 트랜지스터의 조립밀도보다 수십~수천배 높을 수 있으며, 장비의 안정적인 작동시간도 크게 향상시킬 수 있다.
